賽米控丹佛斯-- 全球電力電子領(lǐng)域的技術(shù)***。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體器件、功率模塊、模組和系統(tǒng)。我們積極為您提供產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢、售后服務(wù)，為客戶創(chuàng)造價(jià)值，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的未來。我公司主要銷售的德國(guó)西門康（semikron）IGBT模塊-SiC-全碳化硅功率模塊-混合碳化硅功率模塊-MOSFET模塊-晶閘管/二極管模塊-橋式整流器模塊-IPM-IGBT驅(qū)動(dòng)-功率組件-分立元件-芯片-二極管-可控硅/晶閘管。

SKiiP35NAB12T7V1的優(yōu)勢(shì)

印制電路板（PCB）、功率模塊和散熱器在一個(gè)安裝步驟中完成組裝。印刷電路板上不需要焊接引腳或壓接孔，因此PCB設(shè)計(jì)更具靈活性。彈簧在PCB和電源電路之間提供了一種靈活的連接方式，這一點(diǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于焊接連接，特別是在熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力條件下，會(huì)影響其使用壽命。得益于彈簧提供的高機(jī)械壓力，可以實(shí)現(xiàn)氣密、可靠的電氣連接。

SKiiP35NAB12T7V1產(chǎn)品特點(diǎn)

• MiniSKiiP有6種不同的外殼尺寸
• 低成本組裝，高生產(chǎn)率和產(chǎn)量
• 小型、緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
• **的可靠性和使用壽命長(zhǎng)
• 中低功率范圍從400W到110kW。

SKiiP35NAB12T7V1的關(guān)鍵特性
免焊接的SPRiNG技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)快速、簡(jiǎn)便的裝配。
無銅底板，實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的設(shè)計(jì)和高熱性能
簡(jiǎn)便靈活的PCB布線，無需引腳孔
**的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)配置：CIB、三相全橋、雙三相全橋、H橋、半橋、三電平NPC/TNPC/ANPC、升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（升壓斬波器、飛跨電容升壓、對(duì)稱升壓）

SKiiP35NAB12T7V1的應(yīng)用
憑借20多年的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)和多達(dá)5000萬件的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用量，MiniSKiiP平臺(tái) 已在各類標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中獲得成功，主要應(yīng)用包括各種類型的逆變器，如電機(jī)和伺服驅(qū)動(dòng)器、1000VDC和1500VDC的太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)和焊接機(jī)等。得益于彈簧觸點(diǎn)的**可靠性，MiniSKiiP技術(shù)也可以在農(nóng)用車或風(fēng)力渦輪機(jī)的偏航和變槳驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用。

SKiiP35NAB12T7V1的產(chǎn)品范圍
MiniSKiiP模塊產(chǎn)品組合覆蓋600V-1700V電壓，4A - 600A電流。除了IGBT3和IGBT4的芯片之外，*新的第7代IGBT芯片和碳化硅器件均可適配其中。

標(biāo)準(zhǔn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)浒–IB, 三相全橋, 雙三相全橋，半橋和相應(yīng)的不控/半控和全控制整流拓?fù)浜蛿夭ㄍ負(fù)洹Ｓ糜赨PS應(yīng)用的NPC和對(duì)稱升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，基于快速開關(guān)650V IGBT和二極管可實(shí)現(xiàn)*高功率密度達(dá)100kVA的UPS系統(tǒng)。

更重要的是，*新的芯片技術(shù)，如全碳化硅和混合碳化硅功率模塊，將效率和功率密度提升到更高的水平。為了快速評(píng)估，可以為大多數(shù)功率模塊訂購測(cè)試PCB板。

在此基礎(chǔ)上，所有功率模塊還可提供預(yù)涂高性能導(dǎo)熱硅脂，這是一種標(biāo)桿性的熱界面材料。